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本发明提供了柔性碳纳米管晶体管的制备方法，包括：在基底上制备柔性背栅衬底；将单壁碳纳米管的平行阵列转移至柔性背栅衬底表面；利用电击穿法去除金属性的单壁碳纳米管；利用光刻和刻蚀工艺去除部分电击穿电极，形成源/漏电极结构；在柔性背栅衬底上形成栅...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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