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本发明公开了一种生长在Cu衬底的LED外延片，包括Cu衬底、AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和P-GaN薄膜，所述AlN缓冲层、U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层和...
该专利属于广州市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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