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本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10-10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜。本发明还涉及该GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：a.将Al2O3衬底进行清洁...
该专利属于广州市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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