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本发明公开了一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，采用固相烧结法制备Zn1-xPxO(x＝0.02～0.1)靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为200～500mm的...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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