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本发明提供了一种多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，该多量子阱结构包括多组依次叠置的结构单元各结构单元中包括势阱层和GaN层，GaN层形成于势阱层的表面上，势阱层包括至少一层渐变XGaN层；渐变XGaN层中In的掺杂浓度朝向Ga...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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