温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种铜互连的制备方法，属于半导体技术领域。其包括：在晶圆的上表面设置介质层，并对所述介质层进行处理形成通孔和/或沟槽，并在形成有通孔或沟槽的介质层上表面从下到上依次形成铜的阻挡层和铜籽晶层；在所述阻挡层上表面及所述通孔和/或沟槽...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。