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本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，...
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