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本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通...
该专利属于北京智朗芯光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智朗芯光科技有限公司授权不得商用。

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