温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金属化处理后的硅芯片放...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。