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本发明公开了一种晶圆级铜柱凸块结构的金属帽的形成方法，属于半导体封装技术领域。其形成方法如下：提供一晶圆级的芯片基体；在芯片基体的上表面沉积一介电层，并在芯片电极的正上方开设介电层开口，并在介电层开口的正上方通过光刻工艺开设光刻胶开口；通过...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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