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本发明公开一种双向瞬态电压抑制半导体器件，包括具有重掺杂P型区、第一轻掺杂P型区、第一轻掺杂N型区、第一重掺杂N型区、第二轻掺杂P型区、第二轻掺杂N型区、第二重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底；位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有第一中掺杂N...
该专利属于苏州锝耀电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锝耀电子有限公司授权不得商用。

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