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本发明公开了硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺，其中硅片背面金属化共晶结构，包括设置在硅片上的Ti金属层、设置在Ti金属层上的Ni金属层、以及设置在Ni金属层上的Au-Sn合金共晶金属层。本发明通过多层金属代替单层的金砷合金或者纯金来作为硅...
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