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一种高频大功率碳化硅MOSFET模块制造技术
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文档序号:10283916
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一种高频大功率碳化硅MOSFET模块,它包括散热基板、壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖,电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片;所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散...
该专利属于嘉兴斯达微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过嘉兴斯达微电子有限公司授权不得商用。
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