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本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法，包括溅射准备和溅射镀膜，还包括：将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理，柔性衬底的真空退火温度为50～150℃，时间为20～60min；硬质衬底的真空退火温度为200～500℃，时...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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