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本发明提供了一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层，生长方法中的生长P型GaN层步骤为：在温度930-950℃，压力200-600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100-300nm；A组原料...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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