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文档序号:10274709
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本发明提供一种半导体装置,具备:第一导电型的漂移层;第二导电型的主体层;第一导电型的源极层;第一导电型的漏极层;沟槽栅极,贯通主体层而到达漂移层;第二导电型的第一半导体层,包围沟槽栅极的底部,通过漂移层而与主体层分离;第一导电型的第二半导体...
该专利属于丰田自动车株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。
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