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本发明提供用于形成多元成分半导体的方法及器件。在一个实施方案中，所提供的方法包括将前体材料沉积在衬底上，其中该前体材料可包括添加剂或可与其一起使用以使最终半导体层的背部部分中的IIIA族材料（例如Ga）的浓度最小化。该添加剂可为单质或合金形...
该专利属于埃里斯资本可持续IP有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃里斯资本可持续IP有限公司授权不得商用。

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