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本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体...
该专利属于西安炬光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安炬光科技有限公司授权不得商用。

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