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本发明提供一种TSV样品制备方法，通过将包含TSV结构径向剖面的待处理样品倾斜，使TSV结构径向剖面与所述FIB机台的夹角为钝角，缩短了FIB作用在研磨区域的有效深度，使得研磨深度控制在FIB机台能力范围之内，因而大大减少了拉痕、剥离等样品...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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