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本实用新型提供一种具有读取自参考功能的2-1T1R RRAM存储单元,该存储单元由两个传统的RRAM1T1R存储单元组成，一个为主存储单元，另外一个为参考存储单元。写操作时，将两个1T1R存储单元分别写入两个相反的状态，主存储单元写入‘1’...
该专利属于山东华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华芯半导体有限公司授权不得商用。

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