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本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、电流扩展层、应力释放层、掺杂有Si的插入层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，插入层每一周期包括AlxGa1-xN层...
该专利属于华灿光电(苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州）有限公司授权不得商用。

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