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本发明公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器，该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体基板之上的多个化合物半导体层；第一绝缘膜，覆盖化合物半导体堆结构的表面；以及导电膜，设置在第一绝缘膜的表面上。...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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