温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。