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本发明公开一种氮化硅薄膜的制备方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，高频源功率为0.15~0.30kW，低频源功率为0.15~0.30kW。上述氮化硅薄膜的制备方法给出了低温条件下...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种氮化硅薄膜的制备方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，高频源功率为0.15~0.30kW，低频源功率为0.15~0.30kW。上述氮化硅薄膜的制备方法给出了低温条件下...