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本发明公开了一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制造方法，主要解决器件边缘电场集中效应严重和漏电流过大导致的击穿电压过低和可靠性等问题，其特点是在传统JBS器件结构基础上引入沟槽MOS结构，从而达到缓解P结边缘电场集中，降低漏电流的作...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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