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一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，并在伪栅结构两侧的半导体衬底上形成层间介质层，所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅介质层和位于伪栅介质层上的伪栅，所述伪栅的上表面与所述层间介质层的上表面齐...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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