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公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的...
该专利属于同方威视技术股份有限公司;清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过同方威视技术股份有限公司;清华大学授权不得商用。

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