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本实用新型公开了一种具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件包括：衬底和外延层；外延层设置在衬底的上面。本实用新型较好的解决了SiCMOSFET存在反型层迁移率过低...
该专利属于中南林业科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中南林业科技大学授权不得商用。

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