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本实用新型的实施例涉及一种电子器件，包括：衬底；覆盖所述衬底的掩埋氧化物层；覆盖所述掩埋氧化物层的至少一个半导体器件；以及在所述衬底中并且与所述至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离区域，所述至少一个浅沟槽隔离区域与所述衬底限定侧壁表面...该专利属于意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会授权不得商用。