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本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法。本发明利用斜切的Si(001)单晶片为衬底，经过化学清洗后，放入分子束外延设备中高温脱杂质，之后先外延生长一层硅的缓冲层，最后异质外延锗材料，从而得到超...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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