温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种增加选择发射极制程中使用的掩膜宽度的方法，太阳能电池的制备过程中，在背面刻蚀时，使晶硅片在刻蚀药液中进行刻蚀，通过对腐蚀条件进行调整，从而控制晶硅片与刻蚀药液的反应速率来增加掩膜融化后的宽度；其中，腐蚀条件包括：刻蚀药液为浓...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。