温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆（控片）的制作方法，在硅衬底上沉积一薄层氧化硅薄膜后，再在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层，然后再在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜，并在循环使用中保留该氮化硅层。本发明增加了氮化硅阻挡层，可以有效...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。