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本发明涉及片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法。公开了一种片上解耦电容器。一个或多个碳纳米管被耦合到所述电容器的第一电极。在所述一个或多个碳纳米管上形成介电肤层。在所述介电肤层上形成有金属涂层。所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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