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一种SiNx中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法技术
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文档序号:10123432
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本发明公开了一种SiNX中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法。本发明是将衬底Si基片清洗处理后,先在基片表面形成一层缓冲层SiNX薄膜,然后以高纯碳靶作为靶材,Ar作为工作气体,在SiNX薄膜上形成类金刚石膜。本发明的制备工艺简单,重复性好,...
该专利属于西南科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西南科技大学授权不得商用。
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