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本实用新型提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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