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本发明提供了通过化学气相沉积（CVD）制造硅的反应器，该反应器包括：反应器主体，其可在可操作地布置于反应器的旋转设备的帮助下围绕轴线旋转；至少一个侧壁，其围绕反应器主体；反应气体的至少一个入口；残余气体的至少一个出口；和至少一个加热器具，其...
该专利属于戴纳泰克工程有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过戴纳泰克工程有限公司授权不得商用。

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