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本发明公开了一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法，包括预氧化沉积、第一次沉积、第二次沉积、后处理和推进五个步骤，其中第一次沉积：在740～840℃条件下，通入反应气体POCl3、N2和O2，所述POCl3和O2气体流量比为1:1～12，所述...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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