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本发明提供一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法，其二极管外延片结构从下向上的顺序依次为：衬底、中温GaN缓冲层、N型GaN层、浅量子阱、复合量子阱层、P型GaN层、P型AlGaN层、P型GaN层、P型接触层、P型变量掺杂层，在InGaN/Ga...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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