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硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法技术
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文档序号:10076237
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本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法,实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜,包括硅衬底层,设置在硅衬底层上的氮化物层,以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿...
该专利属于南京邮电大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京邮电大学授权不得商用。
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