温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及离子注入制作超低表面掺杂浓度的低方阻硅太阳电池方法，对P型单晶硅片的表面进行清洗制绒；采用离子注入的方法对制绒后的单晶硅片的一面注入磷元素，形成PN结；对单晶硅片进行高温退火并生长氧化层；在N型表面继续沉积一层钝化/减反膜；丝网印...
该专利属于上海神舟新能源发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海神舟新能源发展有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。