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本发明公开了一种漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管，该LDMOS管的场极板分为耗尽区和连接区两部分，耗尽区与栅相连，且掺杂类型与栅相反；连接区靠近漏，并与漏极相连，且掺杂类型与栅相同。本发明还公开了上述LDMOS管的制造方法。本发明通过将...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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