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本申请涉及多芯片无引线组件，包括：具有多个电极的集成电路；具有第一和第二源极、第一和第二栅极和公共漏极的双沟道MOSFET；具有多个引线的引线框架，每个引线在组件的外底表面上有暴露的接触表面，每个引线用于将电功率传送入集成电路和双沟道MOS...该专利属于快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司授权不得商用。