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本发明提供了一种化合物半导体衬底制备方法，通过在施主衬底和外延层之间制备一超薄的气体收集缓冲层，利用缓冲层与界面的低晶格失配和缺陷对注入离子进行有效的吸附和俘获，与目前的化合物体材料的直接注入剥离相比，本发明大大降低了注入气体离子的剂量以及...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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