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本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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