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一种磁性位单元双电压写入方法，它有四大步骤：一、对待写入位单元所在列进行寻址，以确定待写入位单元所在列在存储阵列中的位置；二、根据写“0”或写“1”的要求，将写入电路同所对应的写入电压相关联，为给写“0”或写“1”操作提供所需电压及电流做准...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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