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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，在提供的半导体衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成低k介质层；在所述低k介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成金属玻璃硬掩膜层；在所述金属玻璃硬掩膜层上形成底部抗反射涂层和图案...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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