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本发明实施例提供一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，可增大遂穿面积并提高遂穿几率，从而提高晶体管的导通电流，获得陡峭的亚阈值斜率；该遂穿场效应晶体管包括分别位于有源区两侧的源极和漏极、栅介质层以及位于所述栅介质层...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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