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本发明提供了第III族氮化物外延基板，其中使用基板抑制在器件形成步骤中产生裂纹；以及所述第III族氮化物外延基板的制造方法。本发明的第III族氮化物外延基板(10)的特征在于具有：Si基板(11)；与所述Si基板(11)接触的初始层(14)...
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