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本发明公开了一种大尺寸氧化物晶体的生长方法，根据晶体生长原理结合熔体生长过程特点，结晶过程的驱动力，物质传输、分凝和溶质分布，热传输、对流和温度分布，界面稳定性和组分过冷的理论建立一套稳定的温场，采用籽晶下种的方式生长晶体，当完成籽晶下种后...
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