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本发明涉及一种三维封装结构及其制造方法。该三维封装结构包括第一半导体装置和第二半导体装置，第一半导体装置包括位于底层的第一衬底和位于中间的第一器件层，以及位于顶层的第一键合层，第一键合层包括一个或多个第一焊垫、一个或多个与第一器件层中的器件...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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